반도체 소부장의 시대가 올까.

 

리포트는 꾸준히 읽어야 하지만 실천은 어렵다. 

 

반도체 관련주를 보유한지 1년이 넘어가고 있음.

온다는 사이클은 이제 시작된거 같은데, 내 보유주식들은 아직도 조용하다.

 

최근 다시 반도체 소부장 관련 리포트가 하나씩 나오기 시작함.

상반기에 한참 발행되던 소부장 리포트들은 삼성과 하이닉스 투자 연기로 올해 중반기에 거의 묻혔다가, 

하반기가 되니 다시 발행되고 있다. 

 

 

내 네이버 증권에서 보이는 증권사 리서치.

어제 오늘 발행된 6편중 4편이 반도체 소부장이다. 이제 진짜 반도체 시장이 오려나,

발행된 리포트들을 간략하게 써머리해봄. 

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테스 (키움/ 25년 메모리 투자 사이클에 대비해야 할 시기 )

 

1. 3Q24 실적 전망:
   • 매출액: 467억 원 (전 분기 대비 -23%, 전년 동기 대비 +69%)
   • 영업이익: 35억 원 (전 분기 대비 -65%, 전년 동기 대비 흑자전환)
   • 반도체 매출액: 465억 원 (전 분기 대비 -23%, 전년 동기 대비 +70%)
   • 디스플레이 매출액: 2억 원 (전 분기 대비 +7%, 전년 동기 대비 -23%)
2. 4Q24 실적 전망:
   • 매출액: 624억 원 (전 분기 대비 +33%, 전년 동기 대비 +140%)
   • 영업이익: 106억 원 (전 분기 대비 +207%, 전년 동기 대비 흑자전환)
   • 반도체 매출액: 620억 원 (전 분기 대비 +33%, 전년 동기 대비 +140%)
   • 디스플레이 매출액: 3억 원 (전 분기 대비 +59%, 전년 동기 대비 +121%)
3. 주요 요인:
   • SK하이닉스의 DRAM 전환 및 신규 투자
   • 중국 메모리 업체로의 장비 공급 확대
   • 삼성전자향 실적 회복 기대
4. 투자의견 및 목표주가:
   • 투자의견: 'BUY'
   • 목표주가: 26,000원 유지

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솔브레인 (SK증권/ 느리지만 괜찮아)

 

 

• 회사 개요:
  • 사업 분야: 반도체 및 전자 관련 화학 재료 제조 및 판매
  • 주요 제품: HF(불산계), HSN(인산계), B.O.E., Precursor
  • 시장 점유율:
    • 인산계: 독과점 수준
    • 불산계: 약 50% 점유율
• 제품 특성 및 시장:
  • HF(불산계): DRAM/NAND/Foundry 공정에서 세정 및 식각에 사용. 테크 마이그레이션으로 인한 공정 Step 증가로 수요 증가 예상.
  • HSN(고선택비 인산계): 3D NAND 질화막 식각에 사용되며, 국내에서 독과점 수준의 점유율을 보유.
  • 신규 개발 제품: 3 나노 GAA 구조의 선택적 식각에 사용되는 초산계 식각액. 현재 시장은 작지만, 국내 유일한 공급망.
  • Precursor: 디엔에프 인수로 기존 low-k 위주에서 high-k 대응까지 확장 가능.
• 성장 전망:
  • 테크 마이그레이션: 공정 Step 수 증가로 인한 소재 사용량 증가로 수혜 기대.
  • NAND 시장: NAND 가동률 회복이 점진적이지만, 테크 마이그레이션에 따른 구조적 수혜가 명확.
•  솔브레인과 반도체 산업  
  • • 솔브레인은 반도체 공정의 진화와 함께 필수적인 화학 소재를 공급하는 업체로, 기술적인 변화가 이루어질 때마다 큰 수혜를 입을 것으로 예상. 특히, 테크 마이그레이션으로 인해 공정이 더 복잡해지고 세밀해질수록 솔브레인의 제품 수요는 증가할 것. 이를 통해 중장기적인 성장 전망이 긍정적이라고 평가할 수 있음.
    • 1. HF(불산계)와 테크 마이그레이션
      • HF(불산계): 이 화학 물질은 반도체 제조 공정에서 세정과 식각에 사용됩니다. DRAM, NAND, Foundry(주조) 공정에서 널리 쓰이며, 반도체 제조에서 중요한 역할을 합니다. 국내 시장에서 솔브레인은 약 50%의 점유율을 차지하고 있습니다.
      • 테크 마이그레이션과 HF 수요 증가: 반도체 공정이 더욱 정밀해지고 미세화될수록 공정 단계(Step) 수가 증가하게 됩니다. 테크 마이그레이션(기술 이전) 과정에서는 새로운 공정 기술이 도입되면서 공정 단계가 더 많아지게 되는데, 이로 인해 HF(불산계)와 같은 화학 물질의 사용량이 증가하게 됩니다. 이는 솔브레인에게 중요한 성장 기회가 됩니다.
      2. HSN(고선택비 인산계)와 3D NAND
      • HSN(고선택비 인산계): 이 물질은 3D NAND의 질화막 식각 과정에서 사용. 질화막은 반도체의 절연층을 구성하는 물질로, 이를 제거하거나 변형하는 과정에서 선택적 식각이 필요.
      • 시장 점유율: 솔브레인은 HSN 시장에서 사실상 독과점적인 위치를 차지하고 있음. 이는 솔브레인의 기술력이 뛰어나며, 경쟁사가 적다는 것을 의미함.
      • 미래 전망: 현재 200단 3D NAND가 최첨단 공정으로 양산되고 있지만, 2025년부터는 300단 3D NAND가 시장에 도입될 예정입니다. NAND의 단수(층 수)가 증가할수록 더 많은 선택적 식각 공정이 필요하게 되며, 이로 인해 HSN 수요가 증가할 것으로 예상. 이는 솔브레인에게 또 다른 중요한 수혜 요소.
      3. 신규 개발된 초산계 식각액과 3 나노 GAA
      • 초산계 식각액: 솔브레인은 새로운 초산계 식각액을 개발했습니다. 이 식각액은 3 나노미터(nm)급 GAA(Gate-All-Around) 구조의 반도체에서 사용됩니다. GAA는 차세대 트랜지스터 구조로, 전력 효율성과 성능이 크게 향상.
      • 시장 상황: 현재 이 제품은 시장 규모가 작지만, 솔브레인은 국내에서 유일한 공급망을 확보하고 있습니다. 따라서 향후 GAA 구조의 반도체 생산이 확대되면, 솔브레인의 매출 증대에 기여할 수 있음.

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      4. Precursor와 사업 확장
      • Precursor: Precursor는 반도체 증착 공정에서 사용되는 화학 물질입니다. 솔브레인은 디엔에프(DNF)를 인수함으로써 기존 low-k(저 유전율) 소재뿐만 아니라 high-k(고 유전율) 소재에도 대응할 수 있는 역량을 갖추게 됨. 이를 통해 사업 확장과 다양한 제품 포트폴리오 구축 가능.
      5. 실적에 대한 민감성
      • 메모리 가동률의 중요성: 솔브레인의 실적은 메모리 반도체, 특히 NAND의 가동률에 큰 영향을 받음. DRAM과 달리 최근 NAND의 가동률 회복 속도는 점진적이지만, 솔브레인은 테크 마이그레이션 과정에서의 구조적인 수혜를 명확히 기대할 수 있음. 이는 솔브레인의 향후 실적 개선에 중요한 요소로 작용할 것.

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원익 IPS (SK/메모리 투자 사이클의 정석)

 

1. 회사 개요:

• 주요 사업: 반도체 및 디스플레이 박막 형성에 사용되는 증착 장비 제조
• 주요 고객사: 삼성전자와 SK하이닉스, 국내 메모리 2사를 주요 고객사로 확보
• 주요 제품:
  • PECVD 장비: 전체 매출의 60-70% 차지
  • ALD/Diffusion 장비: 전체 매출의 20-30% 차지
• 성장 전략: PECVD 장비의 국산화로 성장했고, 최근에는 ALD 장비 확판을 통해 제품 믹스를 확대 중

2. 메모리 투자 사이클 및 단위 수주액 증가:

• 메모리 투자 기조 변화: 하반기부터 메모리 투자 기조 변화가 나타나고 있으며, 특히 DRAM의 HBM(CAPA) 할당이 증가
• 공급 부족 우려: 신규 투자가 부족하여 범용 DRAM의 공급 부족 우려가 있음
• 2025년 전망: 삼성전자와 SK하이닉스의 HBM CAPA 증분은 각각 80K, 50K로 예상, 이에 따른 최소 증설 요구량 증가
• 단위 수주액 증가: 테크 마이그레이션 과정에서 ALD 장비 침투 확대가 이루어지며, DRAM은 약 10%, NAND는 약 20%의 단위 수주액 상승 예상
• 비메모리 투자: 내년 비메모리 분야의 신규 투자 가시성은 낮으나, 미국 팹 관련 장비 수주는 2026년 이후로 예상됨

3. 메모리 투자 사이클의 강력한 수혜:

• 강력한 수혜 예상: 메모리 투자 사이클에서 가장 강력한 수혜를 받을 업체 중 하나로 평가됨
• 목표주가 산정: 2021-2022년 메모리 capex 반등 시기의 P/E Band 상단 수준을 적용하여 목표주가 산정
• 투자의견: 매수
• 목표주가: 5만 원 제시

4. 산업동향

• 1. DRAM 전환 투자

• 1a, 1b 전환 투자: DRAM 시장에서 삼성전자와 SK하이닉스는 1a(1x)와 1b(1y) 기술 노드를 중심으로 전환 투자를 진행 중입니다. 이는 DRAM 칩의 미세화와 고성능화를 위해 필요한 공정 기술로, 기존 시설을 최신 기술로 업그레이드하는 투자입니다.
• 삼성전자: 주요 전환 투자 시설은 화성 15 라인과 평택의 P2 및 P3 공장입니다.
• SK하이닉스: 주요 전환 투자 시설은 M14와 중국 우시에 위치한 공장입니다.

• 2. 2024년 및 2025년 신규 투자 계획

• 2024년 투자 계획:
  • 삼성전자: DRAM 생산 능력을 15-30K/m (월 기준 15,000~30,000개의 웨이퍼) 확장할 계획입니다.
  • SK하이닉스: DRAM 생산 능력을 40-50K/m (월 기준 40,000~50,000개의 웨이퍼) 확장할 계획입니다.
• 2025년 투자 계획:
  • 삼성전자: DRAM 생산 능력을 100K/m 이상으로 확대할 예정입니다. 주요 설비 투자는 평택의 P3 및 P4 공장에서 이루어질 것입니다.
  • SK하이닉스: DRAM 생산 능력을 70-80K/m로 확대할 예정입니다. 주요 설비 투자는 M16과 M15X 공장에서 이루어질 것입니다.

• 3. 삼성전자의 투자 전략

• HBM(고대역폭 메모리) 및 TSV 증설 계획: 삼성전자는 2025년에 HBM과 TSV(Through-Silicon Via) 기술을 활용한 고급 DRAM의 생산 능력을 크게 확대할 계획입니다. 이는 고성능 컴퓨팅과 인공지능(AI) 관련 수요가 증가하는 데 따른 대응입니다.
• 쉘퍼스트 전략: 삼성전자는 2023년에 클린룸을 미리 구축해 놓는 "쉘퍼스트(Shell-First)" 전략을 통해 DRAM 생산 공간을 확보했습니다. 이를 통해 P4 공장의 일부 파운드리 설비를 DRAM 생산 라인으로 전환하고, 2025년 상반기부터 본격적으로 장비 발주(PO)가 이루어질 예정입니다.

• 4. SK하이닉스의 투자 전략

• 용인 클러스터 계획: SK하이닉스는 용인에 새로운 대규모 반도체 클러스터를 계획하고 있습니다. 이 클러스터는 총 120조 원 규모의 투자가 이루어질 예정이며, 총 4개의 팹(반도체 공장)이 건설될 계획입니다.
  • 1기 팹: 2025년에 착공하여 2027년에 준공될 예정입니다. 이 클러스터는 SK하이닉스의 장기적인 생산 능력 확장과 미래 수요 대응을 위한 핵심 인프라가 될 것입니다.

• 5. 시장 및 투자 영향

• DRAM 시장: 삼성전자와 SK하이닉스의 이러한 대규모 투자 계획은 DRAM 시장에서의 공급 확장과 기술 진보를 촉진할 것입니다. 특히, HBM과 같은 고성능 메모리의 수요 증가에 대응할 수 있는 생산 능력 확장이 예상됩니다.
• 투자 환경: 삼성전자와 SK하이닉스 모두 큰 규모의 신규 투자를 계획하고 있으며, 이는 향후 몇 년간 반도체 장비 및 소재 업체들에게도 긍정적인 영향을 미칠 것으로 기대됩니다.

 

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솔브레인, 원익 IPS의 신규 커버가 개시된건 의미가 있는거 아닐까

시장이 지지부진하지만, 확실히 좋을때는 리포트가 많이 나오긴 한다. (나온다고 다 좋은건 아니지만)

여전히 엔비디아를 기다리는 시장이라.. AI가 꺾이고 레거시로 시점이 바뀌는 시절이 오기를 기다려본다.